供应BMS5M.BMS2M.BMS300光电

BMS5M-TDT

BMS5M-TDT-P

探测方式:透过型

探测距离:5M

探测物体:10mm以上不透明体

响应时间:MAX.1MS

电源:12—24VDC+/-10%(幅度 P—P:MAX.10%)

控制输出:NPN open collector 输出

负荷电压:MAX;30VDC.

负荷电流:MAX.200MA

残留电压:MAX.1V

PNP open collector 输出

输出电压;电源电压2.5V以上

负荷电流;200MA以下

BMS2M-MDT

BMS2M-MDT-P

探测方式:镜面反射型

探测距离:0.1—2M

探测物体;60MM以上不透明体

电源:12—24VDC+/-10%(幅度 P—P:MAX.10%)

控制输出:NPN open collector 输出

负荷电压:MAX;30VDC.

负荷电流:MAX.200MA

残留电压:MAX.1V

PNP open collector 输出

输出电压;电源电压2.5V以上

负荷电流;200MA以下

BMS300-DDT

BMS300-DDT-P

探测方式:漫反射型

探测距离:300mm

探测物体:透明体/半透明体/不透明体

电源:12—24VDC+/-10%(幅度 P—P:MAX.10%)

控制输出:NPN open collector 输出

负荷电压:MAX;30VDC.

负荷电流:MAX.200MA

残留电压:MAX.1V

PNP open collector 输出

输出电压;电源电压2.5V以上

负荷电流;200MA以下